Ánodos de titanio chapados en platino para cromado duro

Para el recubrimiento de ánodos, UTron ha diseñado un novedoso método de electrólisis a alta temperatura para el recubrimiento de platino; se produce en el ánodo en sal fundida con un contenido de platino a una temperatura de 550 °C.  Es significativamente superior a los productos recubiertos con platino en electrolitos acuosos. La pureza del recubrimiento es de al menos el 99,9 por ciento. La ductilidad, la adherencia y la resistencia a la corrosión del recubrimiento de platino son considerablemente mejores, mientras que las tensiones internas se mantienen al mínimo. La distribución del espesor del recubrimiento es mucho más uniforme, debido a la estabilidad dimensional de los ánodos.

Parámetros de los ánodos de titanio chapados en platino para cromado duro:
Sustrato: Titanio;
Recubrimiento: Platino;
Espesor del recubrimiento: 0,5-10 μm;
Forma: placa, malla, malla cilíndrica, alambre, varillas, tubos, láminas (la forma de malla expandida es ampliamente utilizada);
Solución: solución de ácido crómico con mayor potencia;
Densidades de corriente <3000a/m2;
Contenido de flúor: ~ 10 mg F / L.

Malla de titanio con capa de platino                                          Placa de titanio con capa de platino

Varilla de titanio con capa de platino                                              Tubo de titanio con capa de platino

Funciones:
Dimensionalmente estable;
Voltaje de celda constante;
Altamente conductor;
Buenas propiedades de resistencia a la corrosión en soluciones de sulfato;
Reducción del consumo de electricidad;
Menor sobrevoltaje de oxígeno;
Peso más ligero, fácil instalación y extracción;
Tiempos de inactividad más cortos;
No se forman lodos ya que los ánodos no se disuelven como el plomo;
Mayor vida útil del baño;
Se fabrica fácilmente en cualquier forma.

Aplicaciones:
Recubrimiento de cobre de PCB;
Protección catódica;
Baño de galvanoplastia para joyas;
Industria electrónica y de semiconductores;
Galvanoplastia de metales preciosos y no preciosos.