¿Cuáles son las causas de la pasivación de los ánodos de titanio recubiertos de MMO?

¿Cuáles son las causas de la pasivación de los ánodos de titanio recubiertos de MMO?

La falla de pasivación es causada por la formación de una capa de óxido no conductora en la interfaz sustrato/recubrimiento, lo que resulta en una mayor resistencia del electrodo y pasivación de la interfaz.
Hay varias causas para la pasivación del ánodo de titanio recubierto de MMO. En el caso de los recubrimientos porosos, las especies oxigenadas son capaces de penetrar en el sustrato de titanio subyacente, lo que provoca la formación de TiO2 en la interfaz sustrato/recubrimiento. Esto provoca una caída óhmica en la interfaz, lo que aumenta la resistencia en la interfaz. Los factores que rigen la porosidad del recubrimiento incluyen el espesor de la película, la composición y el método de preparación del recubrimiento.

La interfaz sustrato/recubrimiento también se puede pasivar. El TiO2 generalmente presente en el sustrato de titanio se dopa por el RuO2 (o IrO2) durante el proceso de recubrimiento. Si el dopaje es insuficiente debido al bajo contenido de RuO2 (IrO2), entonces la caída de potencial que se produce durante el flujo de corriente a través del TiO2 hace que crezca, pasivando así la interfaz. La pasivación del sustrato/recubrimiento se puede minimizar grabando el sustrato de Ti con aproximadamente un 60% de H2SO4 para formar hidruro de titanio en la superficie de titanio.

La falla puede ser causada por la deposición de materiales extraños (MnO2, Fe2O3, oxisales, etc.) en la superficie del recubrimiento. Esto conduce al cegamiento del área de recubrimiento activo, envenenamiento o pasivación del recubrimiento. El área superficial efectiva del recubrimiento bajo consideración se reduce, aumentando así la densidad de corriente efectiva para el recubrimiento activo. Este método de desactivación del recubrimiento puede ser común en la práctica industrial. Esto se puede mitigar limpiando periódicamente el electrodo.